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　　6月18-20日，由电子科技大学主办的2014 IEEE EDSSC 电子器件与固态电路国际会议（2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits ）在成都举行。来自美国、加拿大、意大利、新加坡等国家和地区的200多位学者和研究人员济济一堂，探讨学科的前沿问题及发展趋势。

　　本次会议由中科院院士陈星弼教授担任名誉主席。香港理工大学Charles Surya教授，台湾高雄大学Te-Kuang Chiang教授，电子科技大学张波教授、于奇教授担任技术委员会主席。

　　美国国家工程院院士、中科院外籍院士、耶鲁大学的Tso-Ping Ma教授，美国Allegro Microsystems公司的Harianto Wong博士，电子科技大学陈星弼院士做大会主题报告。

　　Tso-Ping Ma教授介绍了N沟道MOSFET的研究进展，提出了“通过在硅基上生长Ⅲ-Ⅴ族化合物来制作高电子迁移率”和“单极型CMOS”电路等新方法。这将使晶体管具有高速低噪声低功耗的优点。

　　Harianto Wong教授介绍了BCD工艺在工业、汽车、消费电子领域的最新应用成果，详细介绍巨磁阻传感器（GMR、TMR）集成到半导体制造工艺中，增加新型IC磁场传感功能。

　　陈星弼院士介绍了功率半导体器件的分类与应用，着重谈到超结与横向变掺杂结构对功率器件性能的提升。他还介绍了智能功率IC的概念及科研进展，并展示了团队在该领域的产品和成果。

　　45位学者在大会上做特邀报告。与会专家围绕模拟电路、碳基电子学、化合物半导体器件、先进CMOS、新型器件等十余个专题做了深入的展示和探讨。会议收到300多篇论文，录用200余篇。

　　EDSSC由IEEE电子器件/固态电路香港联合分会发起，每年举办一次。该会议涉及的领域包括纳米电子学、存储器件和技术、薄栅介质技术、光子器件、射频微波器件、功率器件、传感器和微机电、模拟电路、生物医学电路、数据转换电路、数字和存储电路、功率控制电路、射频微波电路、无线和有线通信电路等。