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电子学院王成教授入选2022年度《麻省理工科技评论》中国 “35岁以下科技创新35人”榜单
文:秦艳芳 图:王成 来源:电子学院 时间:2023-04-10 9727

   近日,由美国科技智库《麻省理工科技评论》遴选的中国创新青年英雄榜——“35 岁以下科技创新 35 人”(Innovators Under 35,简称 TR35)出炉,电子学院王成教授入选该榜单。

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   自 1999 年起,《麻省理工科技评论》每年都会从世界范围内的新兴科技和创新应用中对 35 岁以下、且对未来科技发展产生深远影响的创新领军人物进行遴选,最终形成一份全球创新青年英雄榜——“35 岁以下科技创新 35 人”(Innovators Under 35,简称 TR35)。2017年,《麻省理工科技评论》TR35 评选首次落地中国,专注于挖掘新兴科技创新领域的中国青年力量。

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  王成教授因其挑战量子精密测量的技术极限,进一步推动量子时间传感器和低温CMOS量子测控芯片等原始创新产品发展而入选。

  王成主要研究的是量子信息技术(量子传感和量子测控)和先进的CMOS集成电路相结合的前沿交叉领域,推动量子算法、量子硬件和量子模拟等量子信息科学前言领域进步。2018 年,他首次提出并实现了原始创新成果芯片级分子时钟(Chip-Scale Molecular Clock,CSMC)。这一成果以硫化羰分子旋转谱线频率为参考,以高集成度的CMOS波谱探测片上系统级芯片为基础,是一种原创的高稳性、可大规模部署的小型化时间基准。2020 年,第二代芯片级分子时钟在 IC 领域旗舰会议国际固态电路会议(ISSCC)上发表,并进行了现场技术展示。2022年6月23日,第三代芯片级分子时钟亮相集成电路领域重要会议RFIC,受到广泛关注。目前,该技术已经完成两代实验室级和三代芯片级原型,正迈向实用化部署。

  此外,王成与其所在的集成物理研究组在低温CMOS集成电路领域也取得了重要进展。他们率先在中国开展了工作在液氦温区(1~4K)的CMOS集成电路芯片研究。截至目前,该研究组已经完成了多轮次的低温CMOS集成电路流片,并于2022年1月成功实现了国内首个低温CMOS集成电路芯片的低温测试,包括参数分频器、高精度数字-电压转换器和锁相环频率源等。

  在2023年3月举行的ISSCC 2023 上,王成课题组展示了具备202.3dBc/Hz Figure-of-Merit(FoM)的4K压控振荡器VCO,创造了主流CMOS工艺VCO FoM的新纪录。目前,王成团队正致力于在2-3年时间内,实现国际上首个千比特规模的低温CMOS阵列测控阵列芯片。

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  王成教授,电子科学与工程学院教授,博士生导师,所提出的芯片级分子时钟作为封面文章发表于2018年7月的Nature子刊Nature Electronics,并被MIT新闻等媒体报道。在有着集成电路领域国际奥林匹克之称的国际固态电路会议(ISSCC)上发表4篇论文,在领域旗舰刊物IEEE固态电路杂志(JSSC)发表6篇论文。截止2023年2月,共发表学术论文51篇,其中一作22篇,Google scholar引用达1016次,H-index为17,i10-index为26。获得1项美国专利授权,并申请2项美国专利。国内学习工作期间(2008-2015年),主要从事高速通信技术、成像及毫米波/太赫兹高频组件研究,曾获得省部级一等奖和邓稼先青年科学家奖等奖项,研究成果曾参加十一五863重大科技成果展。


  榜单链接:https://mp.weixin.qq.com/s/nAg_r7LleSzr0dvbbzKUwQ



编辑:李果  / 审核:李果  / 发布:陈伟