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成电学子获IEEE固态电路学会博士生成就奖
文:电子薄膜与集成器件国家重点实验室 来源:电子薄膜与集成器件国家重点实验室 时间:2022-03-08 19770

近日,电子薄膜与集成器件国家重点实验室罗讯教授团队(先进半导体与集成微系统研究中心)博士生杨秉正,被IEEE固态电路(SSC)学会授予2021-2022年度IEEE固态电路学会Predoctoral Achievement Award(IEEE SSC学会博士生成就奖)。

2022年共有来自全球著名院校的28位学生获得该奖,入选者分别来自美国哈佛大学、美国普林斯顿大学、美国加州理工学院、荷兰代尔夫特理工大学、比利时鲁汶大学、韩国科学技术院、日本东京工业大学、电子科技大学等,本年度中国(含港澳台3地)仅我校1人入选。截至目前,我国大陆地区共计3人入选,其中2人来自我校罗讯教授团队。

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杨秉正本科就读于电子科技大学,并于2017年硕博连读,师从罗讯教授、钱慧珍副教授。在两位老师的悉心指导下,杨秉正面向5G无线传输等新兴领域,开展硅基宽频高速高能效数字微波/毫米波直接调制发射机芯片及其阵列系统集成技术研究。所提出的开关/浮空电容功率放大器(SFCPA)技术,支持数字微波信号直接调制,有效提升发射机能效;基于国产硅基CMOS工艺,所研制的芯片具有1瓦饱和输出功率极值、漏级能效极值41.3%、支持60MHz/256QAM与40MHz/1024QAM信号直接调制,相较于传统Class-B类功率放大器,3/6/9/12/15-dB功率回退效率分别提升1.3/1.9/2.1/2.4/2.6倍;该技术为新一代低功耗消费电子射频前端芯片(如5G手机、WiFi无线设备等)提供了变革性技术思路。相关成果第一作者发表于芯片奥林匹克会议ISSCC,并受邀在集成电路领域权威期刊IEEE JSSC发表研究长文;相关技术已规模化应用于工业界5G通信等消费电子领域;获得国际学术界、工业界广泛认可。

在国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金国际(地区)合作研究与交流项目、国家重点研发计划等国家级高层次项目支持下,截止目前,杨秉正已发表IEEE高水平论文近20篇,包括集成电路领域权威期刊/会议JSSC、ISSCC、CICC、RFIC,微波/毫米波领域权威期刊/会议TMTT、IMS;授权国内外专利4件(含欧美专利2件,中国发明专利2件);多项技术转让华为海思等企业;曾获2021 IEEE微波理论与技术(MTT)学会Graduate Fellowship Award(IEEE MTT学会杰出博士生奖,为IEEE授予微波/毫米波领域博士生最高荣誉)、2019 IEEE IMS最佳学生论文奖Finalist;2021年电子科大十大年度人物(“互联网+”大学生创新创业大赛获奖团队)、2021年度成电杰出学生等;带领团队获得2021年中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛银奖。

IEEE固态电路(SSC)学会博士生成就奖设立于1983年,为IEEE授予集成电路领域博士生最高荣誉。该奖评审委员会由国际工业界、学术界知名专家共同组成,评定过程极为严谨,主要从学术成果的技术变革性、工业应用价值、学术影响力等方面进行综合评选。

 相关链接:

https://sscs.ieee.org/membership/awards/predoctoral-achievement-award?highlight=WyJhd2FyZCIsImF3YXJkJ3MiXQ==



编辑:李国一  / 审核:陈伟  / 发布:陈伟

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