张波教授团队研究生荣获ICREED-2021会议最佳报告奖

文:功率集成技术实验室 图:功率集成技术实验室 / 来源:集成电路研究中心 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 / 2021-06-03 / 点击量:2436

  5月26日-28日,第四届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED-2021)在中国西安召开。电子科技大学功率集成技术实验室(张波教授团队)博士研究生王睿迪和硕士研究生耿立明分别作了《SEB Effect of Small Cell Pitch Super Junction VDMOS: Hardening Degradation and Optimization》和《Investigation on Total-Ionizing-Dose Radiation Response for 700V Double-RESURF SOI-LDMOS》口头报告,两人同时荣获“BEST ORAL PRESENTATION AWARD”,其中博士生王睿迪是第二次荣获该奖项。博士生王睿迪和硕士生耿立明为论文第一作者,导师为乔明教授,两篇论文通讯作者分别为乔明教授、周锌副研究员。同时,实验室与北京微电子研究所、中国运载火箭技术研究院合作发表的研究论文还荣获“BEST POSTER PRESENTATION AWARD”。

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博士生王睿迪口头报告

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硕士生耿立明口头报告

  《SEB Effect of Small Cell Pitch Super Junction VDMOS: Hardening Degradation and Optimization》论文研究了超结VDMOS进一步向小型化发展带来的单粒子加固挑战,深究了SEB过程内在机理,揭示了调制初始电离电荷输运、寄生管增益、体区电势分布不同因素下,SEB性能的变化,探究了在尺寸减小过程中器件源接触宽度、源接触深度和栅场板长度对单粒子烧毁SEB加固能力的影响,为小尺寸超结VDMOS抗辐射设计提供了指导。《Investigation on Total-Ionizing-Dose Radiation Response for 700V Double-RESURF SOI-LDMOS》论文研究了700V抗辐射Double RESURF SOI LDMOS器件,深究了多界面辐射损伤对器件特性的影响,揭示了器件电流退化机理,将线性电流退化主要归因于埋氧层辐射陷阱电荷场调制,而饱和电流退化由场氧层和埋氧层的辐射陷阱电荷场共同调制,为高压抗辐射SOI LDMOS器件设计提供了指导。

  ICREED会议专注于航天领域电子元器件辐射效应最新发展和成果,每两年召开一次,是在电子器件辐射效应领域中与美国NSREC和欧洲RADECS同等水平的国际会议。本次会议由郝跃院士、赵元富教授担任大会主席,来自中国、美国、俄罗斯、意大利等国家高校与研究机构的近300名专家学者线上线下参会。在大会闭幕式总结与展望中,与会专家对功率集成技术实验室去年在IEEE IEDM国际会议报道的辐射效应研究成果给予充分肯定。

  功率半导体是电子科技大学微电子领域的特色学科方向。功率集成技术实验室(PITEL)隶属于电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,长期从事功率半导体技术研究,包括功率半导体器件与功率集成电路的辐射效应机理和抗辐射加固技术研究,多项成果已应用于在轨航天装备中。


编辑:杨棋凌  / 审核:林坤  / 发布者:陈伟