前沿交叉学术论坛 | 彭练矛院士:国际半导体技术发展趋势与中国的碳基机遇

文:人力资源部教师发展中心 / 来源:基础与前沿研究院 党委教师工作部、人力资源部 / 2021-05-13 / 点击量:1232

  为进一步推动我校学科交叉与融合,促进科研合作与创新,营造开放合作的学术交流氛围,人力资源部教师发展中心开设“前沿交叉学术论坛”,定期邀请校内外专家学者围绕交叉学科领域国际学术前沿、热点研究方向及相关科研合作等方面内容开展系列学术讲座,并与我校师生开展学术研讨和交流。

  本期活动特邀中国科学院院士彭练矛与大家进行深入交流和探讨。具体事宜如下,欢迎广大师生积极参会!

  一、题 目:国际半导体技术发展趋势与中国的碳基机遇

  二、主讲人:彭练矛(中国科学院院士、北京大学教授)

  三、时 间:2021年5月17日(周一)9:00-12:30

  四、地 点:清水河校区四号科研楼C区302室  

  五、线上参与方式:

  腾讯会议 会议ID:339906216

  六、报告摘要:

  随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后,后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。面向后摩尔时代,北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力,该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破,基本解决了ITRS给出的碳管材料挑战,发展了一整套碳管CMOS集成电路和光电器件的制备新技术,成为下一代信息处理技术强有力的竞争者;其核心为放弃掺杂,通过控制电极材料达到选择性地向晶体管注入电子或空穴,实现晶体管极性的控制,并首次制备出高性能对称碳管CMOS电路。2017年,首次基于碳管实现了栅长为5纳米的CMOS器件,证明器件在本征性能和功耗综合指标上相对硅基器件具有10倍以上的综合优势,并接近由量子测不准原理决定的电子器件理论极限。

  七、嘉宾简介:

  彭练矛,北京大学教授,中国科学院院士,首届国家杰出青年基金获得者。1982年毕业于北京大学无线电电子学系,1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位,1989年至英国牛津大学任M.J. Whelan 教授的研究助手,1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件,四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表论文400余篇,被引20000余次。相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;全国科技创中心2018年度重大标志性原创成果;13次被写入《国际半导体技术发展路线图》,为我国在此高技术领域抢占一席之地做出了重大贡献。

  八、主办单位:人力资源部教师发展中心

    承办单位:基础与前沿研究院


                   人力资源部教师发展中心

                     2021年5月13日


编辑:林坤  / 审核:林坤  / 发布者:陈伟