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新华网四川:总投资130亿元 成都高新区环电子科大集成电路重点项目集中开工
文:余沁芸 来源:社会媒体 时间:2020-03-13 2568

  新华网成都3月12日电(余沁芸)3月12日,成都高新区环电子科大集成电路重点项目集中开工仪式举行,8个重点项目集中开工,总投资130亿元。

8个重点项目集中开工 IC设计产业总部基地启动建设

  据了解,此次开工的8个项目包括集成电路研发楼宇及标准厂房项目、阳光中电智谷、森未科技功率半导体等4个产业生态圈打造项目,成电国际创新中心暨芯火双创基地、高新IC设计产业总部基地2个创新生态链打造项目,集成电路高端人才公寓、综合保税区B区改造提升2个城市功能配套打造项目。

  其中,集成电路研发楼宇及标准厂房项目建筑规模约3万平方米,位于成都高新综合保税区内。建成后,将用于企业研发、生产、制造、贮藏,并进一步导入全球研发平台和专业人才。

  此次开工仪式现场是IC设计产业总部基地所在地。该项目总投资约13.14亿元,计划于2022年12月完工,将以构建IC设计产业生态圈为战略,聚焦5G、微波、物联网、功率半导体、人工智能等特色领域,融合孵化器、5A级办公及产业、商业多元配套为一体。项目建成后,将联动电子科技大学,协同周边封测、制造等配套产业,构建中国西部“创芯谷”,成为IC产业示范区。

  此外,阳光中电智谷项目建成后将导入电子信息服务类企业和研发机构近百家,建设成为重点发展智能终端研发、软件服务、信息服务、创意经济、IC设计等电子信息相关产业的高新技术产业园区,与IC设计产业总部基地、电子科技大学等形成连片互动。

政校企协同共治 打造集成电路产业高地

  2017年,成都高新区与电子科技大学合建了成电国际创新中心,内设电子信息国际联合研究中心等6个国际合作重大项目,以及集成电路研究中心等20个跨学科特色研究中心,还包括西南首个国家“芯火”双创基地。

  此次新开工建设的成电国际创新中心配套项目预计2020年底完工。成电国际创新中心计划通过3-5年的建设,汇集国家高层次人才不少于200人,完成关键技术研发不少于100项,累计科技成果产业化项目不少于500家,将成为新一代信息技术领域具有全球影响力的创新创业高地。

  电子科技大学校长曾勇表示,电子科技大学也将进一步推动科技成果就地孵化,动员海内外校友及校友企业共同导入产业项目,为建设国际领先、国内一流的集成电路产业高地贡献力量。

聚焦职住平衡 打造高品质生活社区

  产业社区的建设离不开完善的功能配套。此次开工的集成电路产业高端人才公寓南临清水河湿地公园、西邻电子科大附属小学,建成后将缓解成都高新西区优质住宅资源紧张现状,优化集成电路社区生活配套。

  成都高新综合保税区B区则将实施道路、绿化、景观、卡口形象改造提升,新建停车场、运动休闲场所,满足企业员工运动、休闲等生活需求。


  报道链接:http://www.sc.xinhuanet.com/content/2020-03/12/c_1125703140.htm


编辑:林坤  / 审核:林坤  / 发布:林坤