学　术

　　由电子科学与工程学院主办的“电子论坛”第58期邀请我校教授徐开凯老师，与师生共同探讨硅基MOS器件发光机理与关键技术研究。具体安排如下，欢迎感兴趣的师生参加。

　　主　题：硅基MOS器件发光机理与关键技术研究　　

　　主讲人：徐开凯（ 电子科技大学 教授）

　　时　间：2019年2月28日（周四）10:15-11:45

　　地　点：电子楼137会议室

　　内容简介：

　　硅基单片光电子互连系统具有传输速率快、抗干扰能力强、与现有的标准微电子工艺兼容等优点，将成为解决目前高速集成电路信息互连速率与功耗问题的最佳途径。但是，电光调制器依然存在较多问题。针对信号调制问题，最为关键是硅光源发光效率低，信号调制等还存在严重瓶颈，以MOS电容结构为基础，系统研究MOS电容的充放电时间和MOS电容结构两侧扩散区载流子浓度分布对电光调制特性的影响规律，发现MOS电容充放电过程逐渐向瞬态逼近，载流子穿越耗尽区的时间在强电场的作用下进一步降低是提高调制效率的根本原因。而难点在于：如何突破以往器件设计框架、通过硅基类MOS结构电光调制器件内部电容分布的精确建模，系统研究不同电容结构对Si-LED器件性能的调控规律。本报告对近年来的硅基MOS器件发光机理与关键技术进行了讨论分析。

　　主讲人简介：

　　徐开凯，电子科技大学电子科学与工程学院教授、博导，2017年入选电子科技大学百人计划，IEEE Senior Member；电子薄膜与集成器件国家重点实验室特聘研究员。现任Journal of Applied Physics顾问编委、Electronics Letter副主编、IEEE Transactions on Electron Devices客座编辑、Applied Optics客座编辑等，并担任IEEE纳米技术委员会光电子技术委员会主席、IEEE电子器件学会光电子器件委员会成员等。主要从事半导体光电器件与集成技术研究，在IEEE系列等学术期刊上发表SCI 论文30篇（均为第一作者），包括：1篇ESI热点论文（TOP 0.1%），2篇ESI高倍引论文（TOP 1%），1篇入选2018年度英国物理学会（IOP）期刊精选集(IOPselect)，1篇入选国际光学工程学会（SPIE）2018年4月公布的TOP DOWNLOADS 10篇论文（是仅有的5篇非Open-Access论文之一），1篇入选美国光学学会（OSA）2017年11月公布的TOP DOWNLOADS 10篇论文；在IEEE, OSA, SPIE等国际学术会议上作特邀报告50余次；多次担任半导体光电领域国际会议的TPC。主持国家自然科学基金项目3项及其他科研项目若干项。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　电子科学与工程学院

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2019年2月25日