学　术

　　基础与前沿研究院主办的“基础论坛”第127期邀请到伊比利亚国际纳米科技实验室高级研究员王中长来校进行学术交流。具体安排如下，欢迎师生们参加！

　　主　题：电子材料中的缺陷 (Defects in Electronic Materials)

　　主讲人：伊比利亚国际纳米科技实验室　王中长　高级研究员

　　时　间：6月27日（周三）15:00-17:00

　　地　点：沙河校区通信楼818会议室

　　主讲人简介：

　　王中长，伊比利亚国际纳米科技实验室高级研究员，课题组长。2007获日本东京大学博士学位；2008年至2009年任日本东北大学博士后；2009年至2012年任日本东北大学助理教授；2013年至2017年任日本东北大学副教授；2016年，伦敦大学学院访问学者；2017年任伊比利亚国际纳米科技实验室高级研究员、课题组长。一直从事无机材料的原子层面制备、表征、性能及第一性原理和分子动力学计算，其中包括材料、相界面的基本原子结构与物理性能直接关联等方面。负责了20多项包括中国国家自然科学基金委、欧洲研究启动经费、日本国文部省科学研究费在内的国家和企业课题研究。在国际著名学术期刊Nature, Nature Nanotech., Nature Commun., Nano Lett., Adv. Mater., Angew Chemie, ACS Nano等上发表SCI检索论文200余篇，其中Nature以及子刊10篇。参与两部英文专著的撰写。在35个主要的国际会议上做邀请或者专题报告。相关研究成果获国际材料联合会年轻科学家奖、 NEC最高科学技术奖等。相关成果被朝日新闻、读壳新闻、日本经济新闻等报道。

　　内容摘要：

　　电子材料中的缺陷对其性能影响很大。已有大量研究表明，通过有效调控材料中的缺陷，特别是表面和界面，电子材料的诸多性能能得到有效地控制。比如在半导体工业，退火能够有效改变半导体中的界面，从而改变其接触电阻/势垒。但目前对于这种界面-性能关系的阐述并不明确，特别是在原子层面上。近年来，王中长所在团队致力于该关系的基础原理阐述，结合原子尺度表征技术及第一性原理计算方法来研究不同材料体系中缺陷与性能的依存关系。本次报告先讲述单晶体Ruddlesden-Popper (RP)中的稀土La掺杂对其电性能的影响机理（从非金属到金属转变），然后介绍电子陶瓷材料中的线、面缺陷等方面的研究成果，其中涵盖：晶界对点缺陷的吸收诱发晶界超结构的形成机制以及超结构对材料性能的影响；单一位错在外部作用下（退火）原子结构和电子性能发生重构，形成有序晶界超结构；位错的基本形貌以及位错种类的计算预测和实验验证。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　基础与前沿研究院

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2018年6月25日